Bahan konduktif termal terbuat dari silikon karbida

Konduktivitas termal bahan SiC, seperti kebanyakan padatan dielektrik, terutama bergantung pada transfer gelombang termoelastik (disebut fonon). Koefisien konduktivitas termal bahan SiC terutama bergantung pada: 1) jumlah akselerator sintering, rasio kimia, sifat kimia, dan ketebalan batas kristal yang sesuai; 2) Ukuran butir; 3) Jenis dan konsentrasi atom pengotor dalam kristal SiC; 4) Suasana sintering; 5) Perlakuan panas setelah sintering, dll. SiC memiliki konduktivitas termal yang tinggi, celah pita yang besar, kecepatan migrasi saturasi elektron yang tinggi, dan sifat medan listrik kerusakan kritis yang sangat baik, kinerja menyeluruhnya yang sangat baik mengkompensasi kekurangan bahan dan perangkat semikonduktor tradisional dalam aplikasi praktis, pada kendaraan listrik, chip komunikasi seluler, dan bidang lainnya memiliki beragam aplikasi. Dengan keandalan yang lebih tinggi, suhu pengoperasian yang lebih tinggi, ukuran yang lebih kecil, dan daya dukung tegangan yang lebih tinggi, SiC dapat diterapkan pada perangkat daya seperti panel penggerak utama, motor pengisi daya mobil, dan modul daya, yang dapat sangat meningkatkan efisiensi dan memperpanjang daya tahan kendaraan listrik. Pada saat yang sama, SiC memiliki konduktivitas termal yang baik, dan penggunaan perangkat daya semikonduktor SiC dapat mengurangi ukuran baterai dan mengubah energi dengan lebih efisien, sehingga mengurangi biaya perangkat secara keseluruhan. Keramik SiC, sebagai bahan keramik struktural berkinerja tinggi, memiliki sifat termal yang sangat baik dan dapat digunakan secara luas dalam industri suhu tinggi, termal, dan perpindahan panas.