Bahan konduktif termal silikon karbida

Konduktivitas termal bahan SiC, seperti kebanyakan padatan dielektrik, terutama dipengaruhi oleh transmisi gelombang termoelastik (disebut fonon). Konduktivitas termal bahan SiC terutama bergantung pada: 1) jumlah bahan bantu sintering, rasio stoikiometri, sifat kimia, serta ketebalan batas butir dan kristalinitas; 2) Ukuran butir; 3) Jenis dan konsentrasi atom pengotor dalam kristal SiC; 4) Suasana sintering; 5) Perlakuan panas setelah sintering, dll. SiC memiliki sifat yang sangat baik seperti konduktivitas termal yang tinggi, lebar celah pita yang besar, laju migrasi saturasi elektron yang tinggi, dan medan listrik kerusakan kritis yang tinggi. Kinerja komprehensifnya yang luar biasa menutupi kekurangan bahan dan perangkat semikonduktor tradisional dalam aplikasi praktis, dan memiliki prospek penerapan yang luas di berbagai bidang seperti kendaraan listrik dan chip komunikasi seluler. Karena keandalannya yang lebih tinggi, suhu pengoperasian yang lebih tinggi, ukuran yang lebih kecil, dan ketahanan tegangan yang lebih tinggi, SiC dapat diterapkan pada perangkat daya seperti papan penggerak utama, pengisi daya terpasang, dan modul daya, sehingga sangat meningkatkan efisiensi dan meningkatkan daya tahan kendaraan listrik. . Pada saat yang sama, SiC memiliki konduktivitas termal yang baik, dan penggunaan perangkat daya semikonduktor SiC dapat mengurangi ukuran baterai dan mengubah energi secara lebih efektif, sehingga mengurangi biaya perakitan perangkat. Keramik SiC, sebagai bahan keramik struktural berkinerja tinggi, memiliki sifat termal yang sangat baik dan dapat digunakan secara luas di bidang industri tahan suhu tinggi, pemanasan, dan pertukaran panas.